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由于碳析出量很大程度上取决于溶解的碳浓度和降温速率，开启金属晶界处往往生成的石墨烯较厚，开启因此生长的石墨烯以多层为主，层数不均匀且可控性较差。研究还发现，时代相比于经典的半导体热电材料，随着晶畴尺寸的减小，石墨烯的电导率和热导率均衰减地更快。第一步，引义网使用尽量高的生长温度，引义网低的甲烷气体分压进行生长，得到较低成核密度，然后提高第二步生长的甲烷气体分压，进而提高生长速度，得到大晶畴尺寸的石墨烯薄膜。

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